推荐参考书
1、《电子技术基础模拟部分第六版》.康华光.高等教育出版社
第一章
1、Ri与Ro对电路的影响
Ri大从信号源摄取电压能力越大，Ro越小电路带负载能力越好
2、频率失真（线性失真，与输入信号有关）
| 幅度失真 | 不同f,A不同 |
| 相位失真 | 不同f,φ不同 |
非线性失真：由放大器件本身特性引起
带宽BW=fH-fL
第二章
1、满足虚短虚断的条件：深度负反馈
2、理想运放
①v+=vom,v-=-vom
②开环电压增益Av0→∞
③理想运放r→∞
④Ro→∞
⑤BW→∞
第三章
①
| N型半导体 | 多子：自由电子 | 少子：空穴 |
| P型半导体 | 多子：空穴 | 少子：自由电子 |
②多子与掺杂浓度有关
少子与温度有关
③PN结的基本特性
漂移运动：电场引起
扩散运动：浓度差引起
加正向电压：削弱内电场
原文：https://www.cnblogs.com/ycy97/p/13600497.html