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1、 30A MOS管 场效应管
型号：AON7534
规格资料
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta），30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：22nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1037pF @ 15V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3W（Ta），23W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-DFN（3x3）
封装/外壳：8-PowerVDFN
2、85A /30V 封装DFN-8 场效应MOS管
型号：AON6312
参数信息
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.85 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：65nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3100pF @ 15V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）
封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线
3、48A / 100V 场效应MOS管 N沟道
型号：AON6220
规格信息
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：95nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4525pF @ 50V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：113.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）
封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线
发布者：深圳市明佳达电子 了解更多产品可找我
N沟道MOS管AON7534，AON6312，AON6220的中文规格资料
原文：https://www.cnblogs.com/mingjiada/p/13588656.html