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TMS320F28335项目开发记录3_28335简介

时间:2017-04-17 09:24:20      阅读:245      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

28335特性介绍

  • 高性能静态CMOS技术
        高达150MHZ(6.67ns的周期时间);1.9V / 1.8内核 ,3.3V I/O设计
  • 高性能32位CPU
        IEEE-754单精度浮点单元
          哈佛总线结构
          高速中断响应处理
          使用C/C++ 和汇编语言
  • 6通道的DMA(用于ADC、McBsp、ePWM、XINTF和SARAM)
  • 16位或32位外部接口XINTF
  • 片上存储器
        256K*16 Flash     34K*16 SARAM    
        8K*16 Boot ROM(支持软件引导模式SCI、SPI、CAN、I2C、McBSP、XINTF和并行IO)
  • 时钟和系统控制
        支持动态锁相环PLL。 片载振荡器; 安全装置定时模块
  • GPIO0~GPIO63引脚能够连接到八个外部内核中断当中的一个
  • 支持58个外设中断的PIE模块(外设中断扩展)
  • 3个32位定时器
  • 串行port外设
        2个局域网控制器CAN模块
          3个SCI模块(SCIA、SCIB、SCIC)
          2个McBSP模块(可配置为SPI)——一个SPI,一个I2C        
  • 12位。16通道模数转换ADC
        80ns转化率;2*8通道复用输入器;两个採样保持。单一/同步转换
  • 字节序:小端模式
  • 温度选项:A:-40~85    S:-40~125   Q:-40~125
冯诺依曼结构和哈佛总线结构差别:
技术分享

以下来一张官方的表:
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TMS320F28335项目开发记录3_28335简介

原文:http://www.cnblogs.com/wzzkaifa/p/6721247.html

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